싱가포르 정부는 차세대 반도체 소재로 주목받는 갈륨 나이트라이드(GaN, 질화갈륨) 관련 국가연구개발센터를 정식 개소했다.
갈륨 나이트라이드는 갈륨과 질소의 화합물로, 결정 구조를 갖추고 있으며, 이를 사용한 반도체를 화합물 반도체라 부른다.
실리콘 기반 반도체에 비해 절연 파괴 강도와 열전도율이 높다는 등의 우수한 특성을 지니고 있다.
이번에 문을 연 연구개발 시설은 싱가포르 과학기술연구청(A*STAR)이 설립한 ‘GaN용 국가 반도체 실용화 및 혁신센터(NSTIC GaN)’로, GaN 반도체의 실용화 개발을 주요 목표로 한다.
개소식에 참석한 탄 시 렝 인재개발장관 겸 에너지·과학기술 담당 장관은 “이번 센터 개소를 계기로 싱가포르가 세계적인 반도체 생태계를 갖춘 국가로서 위상을 강화할 수 있을 것”이라며, “업계와의 협력, 전문인력 양성, 관련 기업 지원 등을 적극 추진하겠다”고 밝혔다.
아주경제=키우치 사토루 기자/ [번역] 이경 기자 dorami@ajunews.com
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